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全球新消息丨力合創(chuàng)投：瑞波光電實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)905nm EEL芯片重大技術(shù)突破

2023-05-05 11:56:30 來源：證券時(shí)報(bào)·e公司


(資料圖)

力合創(chuàng)投今日官微消息，力合創(chuàng)投在孵在投企業(yè)瑞波光電作為國內(nèi)激光雷達(dá)發(fā)射芯片供應(yīng)商，日前推出具備自主核心技術(shù)的新一代3J和4J的低溫漂65W、135W、165W 905nm芯片系列，波長隨溫度變化系數(shù)小于0.09nm/K，部分型號(hào)達(dá)到0.06nm/K，在溫度漂移特性已經(jīng)接近甚至優(yōu)于VCSEL，實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)905nm EEL芯片的重大技術(shù)突破，填補(bǔ)了國內(nèi)空白，同時(shí)削弱了VCSEL的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，在過去的2022年，瑞波905nm EEL激光雷達(dá)發(fā)射芯片通過車規(guī)AEC-Q102里四項(xiàng)測(cè)試項(xiàng)目，包括HTOL、WHTOL、 PTC 和ESD-HBM。瑞波光電目前已經(jīng)與國內(nèi)多家頭部激光雷達(dá)廠商展開深度合作，并實(shí)現(xiàn)批量的應(yīng)用。

（文章來源：證券時(shí)報(bào)·e公司）

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